FCPF9N60NT
Producentens produktnummer:

FCPF9N60NT

Product Overview

Producent:

Fairchild Semiconductor

Delnummer:

FCPF9N60NT-DG

Beskrivelse:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 29.8W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Lager:

1700 Stk Nye Originaler På Lager
12946482
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

FCPF9N60NT Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Emballage
Bulk
Serie
SuperMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1240 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
29.8W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220F-3
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack

Datablad og dokumenter

Datablade
FCPF9N60NT Datasheet

Yderligere Information

Standard pakke
217
Andre navne
2156-FCPF9N60NT
ONSONSFCPF9N60NT

Miljø- og eksportklassificering

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
international-rectifier

IRF6668TRPBF

IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STD20NF06T4

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

fairchild-semiconductor

FDC855N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FQP3N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3