EPC2110ENGRT
Producentens produktnummer:

EPC2110ENGRT

Product Overview

Producent:

EPC

Delnummer:

EPC2110ENGRT-DG

Beskrivelse:

GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 120V 3.4A Surface Mount Die

Lager:

RFQ Online
12795179
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

EPC2110ENGRT Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
EPC
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
eGaN®
Produkt status
Active
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-funktion
-
Afløb til kildespænding (Vdss)
120V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 700µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
80pF @ 60V
Effekt - Maks.
-
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
Die
Pakke med leverandørenheder
Die
Basis produktnummer
EPC211

Datablad og dokumenter

Datablade
EPC2110
Datasheets
EPC2110ENGRT
HTML datablade
EPC2110ENGRT-DG

Yderligere Information

Standard pakke
2,500
Andre navne
917-EPC2110ENGRCT
917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
917-EPC2110ENGRDKR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0040
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
epc

EPC2106

GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE

epc

EPC2105ENGRT

GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE

epc

EPC2108

GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

epc

EPC2110

GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE