Producentens produktnummer:
EPC2105ENGRT
Product Overview
Producent:
EPC
Delnummer:
EPC2105ENGRT-DG
Beskrivelse:
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 80V 9.5A Surface Mount Die
Lager:
12795182
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
EPC2105ENGRT Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
EPC
Emballage
-
Serie
eGaN®
Produkt status
Discontinued at Digi-Key
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Konfiguration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktion
-
Afløb til kildespænding (Vdss)
80V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
9.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 2.5mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
300pF @ 40V
Effekt - Maks.
-
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
Die
Pakke med leverandørenheder
Die
Basis produktnummer
EPC210
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
500
Andre navne
917-EPC2105ENGRDKR
917-EPC2105ENGRTR
917-EPC2105ENGRCT
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI-certificering
Relaterede produkter
