IRFD224

Producentens produktnummer:

IRFD224

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Delnummer:

IRFD224-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 250 V 630mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Lager:

RFQ Online

13053325

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

IRFD224 Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

Vishay

Emballage

-

Serie

-

Emballage

Tube

Status for del

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

250 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

630mA (Ta)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 380mA, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

260 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

1W (Ta)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Through Hole

Pakke med leverandørenheder

4-HVMDIP

Pakke / etui

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Basis produktnummer

IRFD224

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke

100

Andre navne

*IRFD224

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

RoHS non-compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternative modeller

DELENUMMER

IRFD224PBF

FREMSTILLER

Vishay Siliconix

ANTAL TILGÆNGELIGT

2250

DELE NUMMER

IRFD224PBF-DG

ENHEDSPRIS

0.51

ERSTATNINGSTYPE

Parametric Equivalent

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

vishay

IRF9640SPBF

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

vishay

IRFR9220PBF

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

vishay

IRFR224TRR

MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK

vishay

IRLD014PBF

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP