Producentens produktnummer:
SQJ850EP-T1_GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
SQJ850EP-T1_GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 24A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Lager:
8770 Stk Nye Originaler På Lager
12953917
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SQJ850EP-T1_GE3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1225 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
45W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PowerPAK® SO-8
Pakke / etui
PowerPAK® SO-8
Basis produktnummer
SQJ850
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
SQJ850EP-T1_GE3DKR
SQJ850EP-T1-GE3
SQJ850EP-T1-GE3-DG
SQJ850EP-T1_GE3CT
SQJ850EP-T1_GE3TR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
CP406-CWDM3011N-CT
MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
SIR870BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
IRFP360PBF
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
