Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
DR Congo
Argentina
Tyrkiet
Rumænien
Litauen
Norge
Østrig
Angola
Slovakiet
ltaly
Finland
Belarus
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisk
Belgien
Sverige
Serbien
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Moldova
Tyskland
Holland
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrig
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Portugal
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
SQJ850EP-T1_GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
SQJ850EP-T1_GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 24A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Lager:
8770 Stk Nye Originaler På Lager
12953917
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SQJ850EP-T1_GE3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1225 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
45W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PowerPAK® SO-8
Pakke / etui
PowerPAK® SO-8
Basis produktnummer
SQJ850
Datablad og dokumenter
Datablade
SQJ850EP
Datasheets
SQJ850EP-T1_GE3
HTML datablade
SQJ850EP-T1_GE3-DG
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
SQJ850EP-T1_GE3DKR
SQJ850EP-T1-GE3
SQJ850EP-T1-GE3-DG
SQJ850EP-T1_GE3CT
SQJ850EP-T1_GE3TR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
CP406-CWDM3011N-CT
MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
SIR870BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
IRFP360PBF
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
NVTFS6H888NLWFTAG
MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN