SIZ342DT-T1-GE3
Producentens produktnummer:

SIZ342DT-T1-GE3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Delnummer:

SIZ342DT-T1-GE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 30V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-Power33 (3x3)

Lager:

18593 Stk Nye Originaler På Lager
12787353
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

SIZ342DT-T1-GE3 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
Teknologi
-
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Afløb til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
15.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
20nC @ 10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
650pF @ 15V
Effekt - Maks.
3.6W, 4.3W
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
8-PowerWDFN
Pakke med leverandørenheder
8-Power33 (3x3)
Basis produktnummer
SIZ342

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheets
HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
SIZ342DT-T1-GE3CT
SIZ342DT-T1-GE3DKR
SIZ342DT-T1-GE3TR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
vishay-siliconix

SIA936EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SIA912DJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SQUN702E-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE

vishay-siliconix

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR