SIRA58ADP-T1-RE3
Producentens produktnummer:

SIRA58ADP-T1-RE3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Delnummer:

SIRA58ADP-T1-RE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 40 V 32.3A (Ta), 109A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Lager:

12000 Stk Nye Originaler På Lager
12965558
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

SIRA58ADP-T1-RE3 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
40 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
32.3A (Ta), 109A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+20V, -16V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3030 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
5W (Ta), 56.8W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PowerPAK® SO-8
Pakke / etui
PowerPAK® SO-8
Basis produktnummer
SIRA58

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
SIRA58ADP-T1-RE3TR
742-SIRA58ADP-T1-RE3CT
742-SIRA58ADP-T1-RE3DKR
SIRA58ADP-T1-RE3DKR
SIRA58ADP-T1-RE3TR-DG
SIRA58ADP-T1-RE3DKR-DG
742-SIRA58ADP-T1-RE3TR
SIRA58ADP-T1-RE3CT-DG
SIRA58ADP-T1-RE3CT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
infineon-technologies

IPD60R600PFD7SAUMA1

CONSUMER PG-TO252-3

nexperia

PSMN3R5-80YSFX

NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,

vishay-siliconix

SI7117DN-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK

vishay-siliconix

SI3473DDV-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP