Producentens produktnummer:
SIRA50ADP-T1-RE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
SIRA50ADP-T1-RE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 40 V 54.8A (Ta), 219A (Tc) 6.25W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Lager:
8688 Stk Nye Originaler På Lager
12786033
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
MCUJ
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SIRA50ADP-T1-RE3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
40 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
54.8A (Ta), 219A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.04mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+20V, -16V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
7300 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
6.25W (Ta), 100W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PowerPAK® SO-8
Pakke / etui
PowerPAK® SO-8
Basis produktnummer
SIRA50
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
SIRA50ADP-T1-RE3TR
SIRA50ADP-T1-RE3DKR
SIRA50ADP-T1-RE3CT
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SQJA94EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
SUM90P10-19-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
SQJ158EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8
