Producentens produktnummer:
SIR582DP-T1-RE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
SIR582DP-T1-RE3-DG
Beskrivelse:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 80 V 28.9A (Ta), 116A (Tc) 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Lager:
1850 Stk Nye Originaler På Lager
12974576
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
YvU8
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SIR582DP-T1-RE3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen V
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
80 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
28.9A (Ta), 116A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3360 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PowerPAK® SO-8
Pakke / etui
PowerPAK® SO-8
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
742-SIR582DP-T1-RE3DKR
742-SIR582DP-T1-RE3CT
742-SIR582DP-T1-RE3TR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
RS6P100BHTB1
FREMSTILLER
Rohm Semiconductor
ANTAL TILGÆNGELIGT
2725
DELE NUMMER
RS6P100BHTB1-DG
ENHEDSPRIS
1.35
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DELENUMMER
RS6N120BHTB1
FREMSTILLER
Rohm Semiconductor
ANTAL TILGÆNGELIGT
1763
DELE NUMMER
RS6N120BHTB1-DG
ENHEDSPRIS
1.14
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FDMS86163P-23507X
FET -100V 22.0 MOHM PQFN56
NTTFS080N10GTAG
100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
NVMFS5C410NWFET1G
T6-40V N 0.92 MOHMS SL
