Producentens produktnummer:
SIR572DP-T1-RE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
SIR572DP-T1-RE3-DG
Beskrivelse:
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 150 V 14.8A (Ta), 59.7A (Tc) 5.7W (Ta), 92.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Lager:
5916 Stk Nye Originaler På Lager
12964702
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SIR572DP-T1-RE3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen V
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
150 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
14.8A (Ta), 59.7A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2733 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
5.7W (Ta), 92.5W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PowerPAK® SO-8
Pakke / etui
PowerPAK® SO-8
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
742-SIR572DP-T1-RE3DKR
742-SIR572DP-T1-RE3TR
742-SIR572DP-T1-RE3CT
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
PJA3407_R1_00001
SOT-23, MOSFET
NTD360N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
SIR5102DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
