SIJH800E-T1-GE3
Producentens produktnummer:

SIJH800E-T1-GE3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Delnummer:

SIJH800E-T1-GE3-DG

Beskrivelse:

N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 80 V 29A (Ta), 299A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Lager:

2396 Stk Nye Originaler På Lager
12964733
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

SIJH800E-T1-GE3 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
80 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
29A (Ta), 299A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.55mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
10230 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PowerPAK® 8 x 8
Pakke / etui
PowerPAK® 8 x 8

Datablad og dokumenter

Datablade
SIJH800E
Datasheets
SIJH800E-T1-GE3
HTML datablade
SIJH800E-T1-GE3-DG

Yderligere Information

Standard pakke
2,000
Andre navne
742-SIJH800E-T1-GE3TR
742-SIJH800E-T1-GE3CT
742-SIJH800E-T1-GE3DKR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
panjit

PJC7438_R1_00001

SOT-323, MOSFET

vishay-siliconix

SQJ180EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

onsemi

FDT4N50NZU

POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI

panjit

PJA3411_R1_00001

SOT-23, MOSFET