Producentens produktnummer:
SIHP33N60EF-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
SIHP33N60EF-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Lager:
1000 Stk Nye Originaler På Lager
12915597
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SIHP33N60EF-GE3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3454 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
278W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220AB
Pakke / etui
TO-220-3
Basis produktnummer
SIHP33
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
50
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SI7716ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
IXTH500N04T2
MOSFET N-CH 40V 500A TO247
SI7726DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
