SIHP25N40D-GE3
Producentens produktnummer:

SIHP25N40D-GE3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Delnummer:

SIHP25N40D-GE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 400 V 25A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB

Lager:

1384 Stk Nye Originaler På Lager
12787166
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

SIHP25N40D-GE3 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
400 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1707 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
278W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220AB
Pakke / etui
TO-220-3
Basis produktnummer
SIHP25

Datablad og dokumenter

Datasheets
SIHP25N40D-GE3
HTML datablade
SIHP25N40D-GE3-DG
Datablade
SiHP25N40D Packaging Information

Yderligere Information

Standard pakke
50
Andre navne
SIHP25N40DGE3

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
vishay-siliconix

SIHD6N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK

vishay-siliconix

SUP85N10-10P-GE3

MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

vishay-siliconix

SQJA06EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHD180N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA