Producentens produktnummer:
SIHB33N60ET1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
SIHB33N60ET1-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Lager:
12787346
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SIHB33N60ET1-GE3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3508 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
278W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
TO-263 (D2PAK)
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis produktnummer
SIHB33
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
800
Andre navne
SIHB33N60ET1-GE3-DG
SIHB33N60ET1-GE3TR
SIHB33N60ET1-GE3CT
SIHB33N60ET1-GE3DKR
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SUD80460E-GE3
MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
SIHA22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
SIHG17N60D-E3
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
