SIA4371EDJ-T1-GE3
Producentens produktnummer:

SIA4371EDJ-T1-GE3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Delnummer:

SIA4371EDJ-T1-GE3-DG

Beskrivelse:

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Detaljeret Beskrivelse:
P-Channel 30 V 6.4A (Ta), 9A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Lager:

5510 Stk Nye Originaler På Lager
12974690
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

SIA4371EDJ-T1-GE3 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
30 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
6.4A (Ta), 9A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±12V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PowerPAK® SC-70-6
Pakke / etui
PowerPAK® SC-70-6

Datablad og dokumenter

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
742-SIA4371EDJ-T1-GE3TR
742-SIA4371EDJ-T1-GE3CT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
onsemi

NVTYS025P04M8LTWG

MV8 40V P-CH LL IN LFPAK

diotec-semiconductor

DI035N10PT

MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0

nexperia

PH6030DLBX

MOSFET N-CH 30V LFPAK

rohm-semi

RSQ025P03HZGTR

MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6