Producentens produktnummer:
SI8823EDB-T2-E1
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
SI8823EDB-T2-E1-DG
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT
Detaljeret Beskrivelse:
P-Channel 20 V 2.7A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Lager:
2971 Stk Nye Originaler På Lager
12913356
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SI8823EDB-T2-E1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen III
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
20 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
800mV @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
580 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
900mW (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Pakke / etui
4-XFBGA
Basis produktnummer
SI8823
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
SI8823EDB-T2-E1TR
SI8823EDB-T2-E1CT
SI8823EDB-T2-E1DKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IRL3103D1STRR
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
SI4100DY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
SI4412ADY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
