Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
DR Congo
Argentina
Tyrkiet
Rumænien
Litauen
Norge
Østrig
Angola
Slovakiet
ltaly
Finland
Belarus
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisk
Belgien
Sverige
Serbien
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Moldova
Tyskland
Holland
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrig
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Portugal
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
SI4816BDY-T1-E3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
SI4816BDY-T1-E3-DG
Beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SOIC
Lager:
RFQ Online
12917949
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SI4816BDY-T1-E3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
LITTLE FOOT®
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktion
Logic Level Gate
Afløb til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
10nC @ 5V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Effekt - Maks.
1W, 1.25W
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakke med leverandørenheder
8-SOIC
Basis produktnummer
SI4816
Datablad og dokumenter
Datablade
Si4816BDY
Datasheets
SI4816BDY-T1-E3
HTML datablade
SI4816BDY-T1-E3-DG
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
SI4816BDY-T1-E3DKR
SI4816BDYT1E3
SI4816BDY-T1-E3CT
SI4816BDY-T1-E3TR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
IRL6372TRPBF
FREMSTILLER
Infineon Technologies
ANTAL TILGÆNGELIGT
13964
DELE NUMMER
IRL6372TRPBF-DG
ENHEDSPRIS
0.31
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DELENUMMER
DMN3033LSDQ-13
FREMSTILLER
Diodes Incorporated
ANTAL TILGÆNGELIGT
2403
DELE NUMMER
DMN3033LSDQ-13-DG
ENHEDSPRIS
0.18
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SI4804BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
SQJ260EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
SIZ322DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
SQJ962EP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8