SI4056DY-T1-GE3
Producentens produktnummer:

SI4056DY-T1-GE3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Delnummer:

SI4056DY-T1-GE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 11.1A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Lager:

4842 Stk Nye Originaler På Lager
12917537
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

SI4056DY-T1-GE3 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
11.1A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.8V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
29.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
900 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
8-SOIC
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis produktnummer
SI4056

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheets
HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke
2,500
Andre navne
SI4056DYT1GE3
SI4056DY-T1-GE3TR
SI4056DY-T1-GE3CT
SI4056DY-T1-GE3DKR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
nexperia

BUK6E2R3-40C,127

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

nexperia

PMT280ENEAX

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

vishay-siliconix

SI2300DS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3

vishay-siliconix

SI4413DDY-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 8SOIC