Producentens produktnummer:
SI3585CDV-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
SI3585CDV-T1-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP
Lager:
13694 Stk Nye Originaler På Lager
12918263
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SI3585CDV-T1-GE3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-funktion
Logic Level Gate
Afløb til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
3.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
4.8nC @ 10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
150pF @ 10V
Effekt - Maks.
1.4W, 1.3W
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pakke med leverandørenheder
6-TSOP
Basis produktnummer
SI3585
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
SI3585CDV-T1-GE3-DG
SI3585CDV-T1-GE3TR
SI3585CDV-T1-GE3CT
SI3585CDV-T1-GE3DKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SQJ560EP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
SIA914DJ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
SI4330DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC
