Producentens produktnummer:
SI2316BDS-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
SI2316BDS-T1-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 30 V 4.5A (Tc) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Lager:
61123 Stk Nye Originaler På Lager
12914813
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SI2316BDS-T1-GE3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
30 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
SOT-23-3 (TO-236)
Pakke / etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis produktnummer
SI2316
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
SI2316BDST1GE3
SI2316BDS-T1-GE3TR
SI2316BDS-T1-GE3DKR
SI2316BDS-T1-GE3CT
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SIA417DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
IRFPS30N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247
SI4636DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
