IRFZ14L
Producentens produktnummer:

IRFZ14L

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Delnummer:

IRFZ14L-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Through Hole TO-262-3

Lager:

RFQ Online
12905478
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

IRFZ14L Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-262-3
Pakke / etui
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis produktnummer
IRFZ14

Datablad og dokumenter

Datablade
IRFZ14
Datasheets
IRFZ14L
HTML datablade
IRFZ14L-DG

Yderligere Information

Standard pakke
50
Andre navne
*IRFZ14L

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
vishay-siliconix

IRFD120PBF

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

diodes

ZXMN2A02N8TA

MOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO

littelfuse

IXFN44N80

MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

vishay-siliconix

IRFD010PBF

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP