Producentens produktnummer:
IRFBE30PBF
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
IRFBE30PBF-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Lager:
2597 Stk Nye Originaler På Lager
12924620
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IRFBE30PBF Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
800 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
125W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220AB
Pakke / etui
TO-220-3
Basis produktnummer
IRFBE30
Datablad og dokumenter
Datasheets
HTML datablade
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
50
Andre navne
*IRFBE30PBF
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
JANTX2N6760
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA
JANTX2N7227U
MOSFET N-CH 400V 14A TO267AB
FDN337N
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
