2N7002E-T1-GE3
Producentens produktnummer:

2N7002E-T1-GE3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Delnummer:

2N7002E-T1-GE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236

Lager:

16106 Stk Nye Originaler På Lager
12872999
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

2N7002E-T1-GE3 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
240mA (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
21 pF @ 5 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
350mW (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
TO-236
Pakke / etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis produktnummer
2N7002

Datablad og dokumenter

Datablade
2N7002E Datasheet
Datasheets
2N7002E-T1-GE3
HTML datablade
2N7002E-T1-GE3-DG

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
2N7002E-T1-GE3TR
2N7002E-T1-GE3-DG
2N7002E-T1-GE3CT
2N7002E-T1-GE3DKR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
stmicroelectronics

STF10LN80K5

MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP

stmicroelectronics

STL220N6F7

MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT

stmicroelectronics

STI270N4F3

MOSFET N-CH 40V 160A I2PAK

microchip-technology

VN0606L-G

MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3