Producentens produktnummer:
TPN7R506NH,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
TPN7R506NH,L1Q-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 26A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Lager:
4880 Stk Nye Originaler På Lager
12890256
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
EYYR
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
TPN7R506NH,L1Q Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 200µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1800 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pakke / etui
8-PowerVDFN
Basis produktnummer
TPN7R506
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
5,000
Andre navne
TPN7R506NHL1QCT
TPN7R506NHL1QTR
TPN7R506NHL1QDKR
TPN7R506NH,L1Q(M
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
TPCA8018-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 30A 8SOP
TK16V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN
TK8P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
