Producentens produktnummer:
TK32E12N1,S1X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
TK32E12N1,S1X-DG
Beskrivelse:
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 120 V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220
Lager:
78 Stk Nye Originaler På Lager
12889193
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
TuSh
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
TK32E12N1,S1X Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
120 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 500µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2000 pF @ 60 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
98W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220
Pakke / etui
TO-220-3
Basis produktnummer
TK32E12
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
50
Andre navne
TK32E12N1S1X
TK32E12N1,S1X(S
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
TK4A60DB(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
TK4P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
TK20A60W,S5VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
