Producentens produktnummer:
TK31J60W,S1VQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
TK31J60W,S1VQ-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Lager:
25 Stk Nye Originaler På Lager
12889110
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
e1VK
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
TK31J60W,S1VQ Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tube
Serie
DTMOSIV
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
88mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.7V @ 1.5mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3000 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
230W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-3P(N)
Pakke / etui
TO-3P-3, SC-65-3
Basis produktnummer
TK31J60
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
25
Andre navne
TK31J60W,S1VQ(O
TK31J60WS1VQ
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
DMS3014SFGQ-7
MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
SSM3K36MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
SSM6J422TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4A UF6
