Producentens produktnummer:
TK17A80W,S4X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
TK17A80W,S4X-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 800 V 17A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Lager:
52 Stk Nye Originaler På Lager
12889165
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
zOWl
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
TK17A80W,S4X Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tube
Serie
DTMOSIV
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
800 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 850µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2050 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
45W (Tc)
Driftstemperatur
150°C
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220SIS
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Basis produktnummer
TK17A80
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
50
Andre navne
TK17A80W,S4X(S
TK17A80WS4X
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
TK8A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
DMT6002LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
