Producentens produktnummer:
RN2971FE(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN2971FE(TE85L,F)-DG
Beskrivelse:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Lager:
12891090
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN2971FE(TE85L,F) Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V
Modstand - Base (R1)
10kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
-
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvens - Overgang
200MHz
Effekt - Maks.
100mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-563, SOT-666
Pakke med leverandørenheder
ES6
Basis produktnummer
RN2971
Yderligere Information
Standard pakke
4,000
Andre navne
RN2971FE(TE85LF)TR
RN2971FE(TE85LF)CT
RN2971FE(TE85LF)DKR
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
EMB4T2R
FREMSTILLER
Rohm Semiconductor
ANTAL TILGÆNGELIGT
0
DELE NUMMER
EMB4T2R-DG
ENHEDSPRIS
0.07
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DELENUMMER
RN2111MFV,L3F
FREMSTILLER
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILGÆNGELIGT
7550
DELE NUMMER
RN2111MFV,L3F-DG
ENHEDSPRIS
0.02
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN4990FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2507(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
RN4983,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6