RN2907,LF(CT
Producentens produktnummer:

RN2907,LF(CT

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Delnummer:

RN2907,LF(CT-DG

Beskrivelse:

PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6

Lager:

4819 Stk Nye Originaler På Lager
12889654
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

RN2907,LF(CT Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V
Modstand - Base (R1)
10kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
47kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA
Frekvens - Overgang
200MHz
Effekt - Maks.
200mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakke med leverandørenheder
US6
Basis produktnummer
RN2907

Datablad og dokumenter

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
RN2907LF(CTTR
RN2907LF(CTDKR
RN2907,LF(CB
RN2907LF(CTCT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4984(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1905,LF

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4901,LF

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2608(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6