RN2906,LF
Producentens produktnummer:

RN2906,LF

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Delnummer:

RN2906,LF-DG

Beskrivelse:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6

Lager:

5268 Stk Nye Originaler På Lager
12891052
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

RN2906,LF Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V
Modstand - Base (R1)
4.7kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
47kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA
Frekvens - Overgang
200MHz
Effekt - Maks.
200mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakke med leverandørenheder
US6
Basis produktnummer
RN2906

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
RN2906LF(CTTR-DG
RN2906LFTR
RN2906LF(CTCT
RN2906LF(CTDKR
RN2906LF(CTTR
RN2906LFCT
RN2906LF(CTDKR-DG
RN2906,LF(CT
RN2906LFDKR
RN2906LF(CTCT-DG
RN2906,LF(CB

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1606(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1908,LF(CT

NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4903(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2706,LF

PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO