Producentens produktnummer:
RN2711(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN2711(TE85L,F)-DG
Beskrivelse:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount 5-SSOP
Lager:
12889167
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN2711(TE85L,F) Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V
Modstand - Base (R1)
10kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
-
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
400 @ 1mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvens - Overgang
200MHz
Effekt - Maks.
200mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Pakke med leverandørenheder
5-SSOP
Basis produktnummer
RN2711
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
RN2711TE85LF
RN2711(TE85LF)DKR
RN2711(TE85LF)CT
RN2711(TE85LF)TR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN4984,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1701,LF
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
RN2961(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
