Producentens produktnummer:
RN2506(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN2506(TE85L,F)-DG
Beskrivelse:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
Lager:
3171 Stk Nye Originaler På Lager
12889804
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN2506(TE85L,F) Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V
Modstand - Base (R1)
4.7kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
47kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvens - Overgang
200MHz
Effekt - Maks.
300mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SC-74A, SOT-753
Pakke med leverandørenheder
SMV
Basis produktnummer
RN2506
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
RN2506(TE85LF)CT
RN2506(TE85LF)TR
RN2506TE85LF
RN2506(TE85LF)DKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN4988FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
RN1702,LF
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH
RN4909,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4