RN2306,LF
Producentens produktnummer:

RN2306,LF

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Delnummer:

RN2306,LF-DG

Beskrivelse:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SC-70

Lager:

3000 Stk Nye Originaler På Lager
12889661
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

RN2306,LF Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forbiaseret Bipolar Transistorer
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Modstand - Base (R1)
4.7 kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
47 kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA
Frekvens - Overgang
200 MHz
Effekt - Maks.
100 mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SC-70, SOT-323
Pakke med leverandørenheder
SC-70
Basis produktnummer
RN2306

Datablad og dokumenter

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
264-RN2306,LFCT
264-RN2306,LFTR
RN2306LFCT
RN2306LFTR-DG
RN2306,LF(T
RN2306LFDKR
RN2306,LF(B
RN2306LFTR
RN2306LFCT-DG
264-RN2306,LFDKR
RN2306LFDKR-DG

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1113(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2404TE85LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

TDTA114Y,LM

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1111MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM