Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
Frankrig
Spanien
Tyrkiet
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakiet
ltaly
Finland
Russisk
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Holland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Rumænien
Østrig
Belgien
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Congo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Angola
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
RN1970FE(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN1970FE(TE85L,F)-DG
Beskrivelse:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Lager:
RFQ Online
12889503
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
m
Z
R
i
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN1970FE(TE85L,F) Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V
Modstand - Base (R1)
4.7kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
-
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvens - Overgang
250MHz
Effekt - Maks.
100mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-563, SOT-666
Pakke med leverandørenheder
ES6
Basis produktnummer
RN1970
Yderligere Information
Standard pakke
4,000
Andre navne
RN1970FE(TE85LF)DKR
RN1970FE(TE85LF)CT
RN1970FE(TE85LF)TR
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
PEMD6,115
FREMSTILLER
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILGÆNGELIGT
4000
DELE NUMMER
PEMD6,115-DG
ENHEDSPRIS
0.06
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DELENUMMER
RN1110MFV,L3F
FREMSTILLER
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILGÆNGELIGT
8000
DELE NUMMER
RN1110MFV,L3F-DG
ENHEDSPRIS
0.02
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DELENUMMER
EMH3T2R
FREMSTILLER
Rohm Semiconductor
ANTAL TILGÆNGELIGT
528
DELE NUMMER
EMH3T2R-DG
ENHEDSPRIS
0.08
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN4901,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4985,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1909(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN1909FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6