Producentens produktnummer:
RN1909,LF(CT
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN1909,LF(CT-DG
Beskrivelse:
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Lager:
2392 Stk Nye Originaler På Lager
12889367
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN1909,LF(CT Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V
Modstand - Base (R1)
47kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
22kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA
Frekvens - Overgang
250MHz
Effekt - Maks.
200mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakke med leverandørenheder
US6
Basis produktnummer
RN1909
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
RN1909LF(CTTR
RN1909LF(CTCT-DG
RN1909LF(CTDKR
RN1909LF(CTCT
264-RN1909,LF(CTTR
264-RN1909,LF(CT
RN1909LF(CTDKR-DG
264-RN1909,LF(CTDKR
RN1909LF(CTTR-DG
RN1909,LF(CB
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN2703JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN1701JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
DDC144TU-7
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
