Producentens produktnummer:
RN1707JE(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN1707JE(TE85L,F)-DG
Beskrivelse:
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
Lager:
3872 Stk Nye Originaler På Lager
13275899
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
XMPZ
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN1707JE(TE85L,F) Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V
Modstand - Base (R1)
10kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
47kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA
Frekvens - Overgang
250MHz
Effekt - Maks.
100mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-553
Pakke med leverandørenheder
ESV
Basis produktnummer
RN1707
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
4,000
Andre navne
264-RN1707JE(TE85LF)CT
264-RN1707JE(TE85LF)TR
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN4988(TE85L,F)
NPN + PNP BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
RN1710JE(TE85L,F)
NPN X 2 BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BER=
FMC2T148
TRANS DGTL BJT NPN/PNP SMT5
