RN1703,LF
Producentens produktnummer:

RN1703,LF

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Delnummer:

RN1703,LF-DG

Beskrivelse:

NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV

Lager:

3000 Stk Nye Originaler På Lager
12890172
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

RN1703,LF Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V
Modstand - Base (R1)
22kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
22kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA
Frekvens - Overgang
250MHz
Effekt - Maks.
200mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Pakke med leverandørenheder
USV
Basis produktnummer
RN1703

Datablad og dokumenter

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
RN1703LFDKR
RN1703,LF(B
RN1703LFTR
RN1703LFCT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
diodes

DDC144NS-7

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1967FE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

diodes

DCX124EK-7-F

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1966FE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6