Producentens produktnummer:
RN1410,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN1410,LF-DG
Beskrivelse:
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Lager:
4500 Stk Nye Originaler På Lager
13275903
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
VUiy
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN1410,LF Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forbiaseret Bipolar Transistorer
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Modstand - Base (R1)
4.7 kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvens - Overgang
250 MHz
Effekt - Maks.
200 mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakke med leverandørenheder
S-Mini
Basis produktnummer
RN1410
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
264-RN1410LFTR
RN1410,LF(B
264-RN1410LFCT
264-RN1410LFDKR
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN1106MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2410,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
RN1310,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70