Producentens produktnummer:
RN1407,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN1407,LF-DG
Beskrivelse:
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Lager:
874 Stk Nye Originaler På Lager
13275855
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
g4pL
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN1407,LF Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forbiaseret Bipolar Transistorer
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Modstand - Base (R1)
10 kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
47 kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA
Frekvens - Overgang
250 MHz
Effekt - Maks.
200 mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakke med leverandørenheder
S-Mini
Basis produktnummer
RN1407
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
264-RN1407LFCT
264-RN1407LFTR
264-RN1407LFDKR
RN1407,LF(B
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN2107MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN2119MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN2424(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
