Producentens produktnummer:
RN1106MFV,L3F
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN1106MFV,L3F-DG
Beskrivelse:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Lager:
53233 Stk Nye Originaler På Lager
12891576
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN1106MFV,L3F Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forbiaseret Bipolar Transistorer
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Modstand - Base (R1)
4.7 kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
47 kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA
Effekt - Maks.
150 mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-723
Pakke med leverandørenheder
VESM
Basis produktnummer
RN1106
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
8,000
Andre navne
RN1106MFV,L3F(T
RN1106MFVL3F-DG
RN1106MFV,L3F(B
RN1106MFVL3F(B
RN1106MFVL3F(T
RN1106MFVL3FDKR
RN1106MFVL3F
RN1106MFVL3FTR
RN1106MFVL3FCT
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN1309(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN1404S,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
DDTC123YKA-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
