Producentens produktnummer:
HN4B102J(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
HN4B102J(TE85L,F)-DG
Beskrivelse:
PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV
Lager:
2900 Stk Nye Originaler På Lager
12988801
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
HN4B102J(TE85L,F) Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolar Transistor Arrays
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN, PNP
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
1.8A, 2A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
30V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
200 @ 200mA, 2V
Effekt - Maks.
750mW
Frekvens - Overgang
-
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SC-74A, SOT-753
Pakke med leverandørenheder
SMV
Basis produktnummer
HN4B102
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
ULN2803CDWR
50-V, EIGHT-CHANNEL DARLINGTON A
SBC846BDW1T1G-M01
SBC846BDW1T1G-M01
CMLT3474 TR
TRANS NPN/PNP 25V 1A SOT563
