HN4B102J(TE85L,F)
Producentens produktnummer:

HN4B102J(TE85L,F)

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Delnummer:

HN4B102J(TE85L,F)-DG

Beskrivelse:

PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV

Lager:

2900 Stk Nye Originaler På Lager
12988801
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

HN4B102J(TE85L,F) Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Bipolar Transistor Arrays
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN, PNP
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
1.8A, 2A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
30V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
200 @ 200mA, 2V
Effekt - Maks.
750mW
Frekvens - Overgang
-
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SC-74A, SOT-753
Pakke med leverandørenheder
SMV
Basis produktnummer
HN4B102

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
texas-instruments

ULN2803CDWR

50-V, EIGHT-CHANNEL DARLINGTON A

onsemi

SBC846BDW1T1G-M01

SBC846BDW1T1G-M01

central-semiconductor

CMLT3474 TR

TRANS NPN/PNP 25V 1A SOT563

micro-commercial-components

MMDT3906HE3-TP

DUAL PNP TRANSISTORS, SOT-363