Producentens produktnummer:
HN1B01FU-Y,LXHF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
HN1B01FU-Y,LXHF-DG
Beskrivelse:
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor Array 50V 150mA 120MHz, 150MHz 200mW Surface Mount US6
Lager:
5878 Stk Nye Originaler På Lager
12966894
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
HN1B01FU-Y,LXHF Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolar Transistor Arrays
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
-
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
150mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
120 @ 2mA, 6V
Effekt - Maks.
200mW
Frekvens - Overgang
120MHz, 150MHz
Driftstemperatur
-
Grad
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakke med leverandørenheder
US6
Basis produktnummer
HN1B01
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
264-HN1B01FU-YLXHFDKR
264-HN1B01FU-Y,LXHFCT
264-HN1B01FU-Y,LXHFTR
264-HN1B01FU-YLXHFCT
264-HN1B01FU-Y,LXHFCT-DG
264-HN1B01FU-YLXHFTR
264-HN1B01FU-Y,LXHFTR-DG
264-HN1B01FU-Y,LXHFDKR-DG
264-HN1B01FU-Y,LXHFDKR
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
HN1A01FE-GR,LXHF
AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
HN1C01FE-Y,LXHF
AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
HN1B04FE-Y,LXHF
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50