Producentens produktnummer:
HN1B01FU-GR,LXHF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
HN1B01FU-GR,LXHF-DG
Beskrivelse:
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor Array 50V 150mA 120MHz, 150MHz 200mW Surface Mount US6
Lager:
5968 Stk Nye Originaler På Lager
12996534
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
eKvE
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
HN1B01FU-GR,LXHF Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolar Transistor Arrays
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
-
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
150mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
200 @ 2mA, 6V
Effekt - Maks.
200mW
Frekvens - Overgang
120MHz, 150MHz
Driftstemperatur
-
Grad
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakke med leverandørenheder
US6
Basis produktnummer
HN1B01
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
264-HN1B01FU-GR,LXHFDKR-DG
264-HN1B01FU-GR,LXHFDKR
264-HN1B01FU-GRLXHFCT
264-HN1B01FU-GRLXHFTR
264-HN1B01FU-GR,LXHFTR
264-HN1B01FU-GRLXHFDKR
264-HN1B01FU-GR,LXHFCT
264-HN1B01FU-GR,LXHFCT-DG
264-HN1B01FU-GR,LXHFTR-DG
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
PBSS4140DPN/DG/B2,115
NEXPERIA PBSS4140DPN - 40 V LOW
BC817RA147
BC817RA - SMALL SIGNAL BIPOLAR T
PBSS5230PAP,115
NEXPERIA PBSS5230PAP - SMALL SIG