2SK3564(STA4,Q,M)
Producentens produktnummer:

2SK3564(STA4,Q,M)

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Delnummer:

2SK3564(STA4,Q,M)-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Lager:

176 Stk Nye Originaler På Lager
12890039
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

2SK3564(STA4,Q,M) Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tube
Serie
π-MOSIV
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
900 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
40W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220SIS
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Basis produktnummer
2SK3564

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke
50
Andre navne
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564(Q)
2SK3564(STA4Q)
2SK3564Q-DG
2SK3564(STA4Q)-DG
2SK3564STA4QM
2SK3564(STA4,Q)
2SK3564-NDR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

TK17E80W,S1X

MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220

toshiba-semiconductor-and-storage

TK25E60X,S1X

MOSFET N-CH 600V 25A TO220

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K310T(TE85L,F)

MOSFET N-CH 20V 5A TSM

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN4R303NL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON