Producentens produktnummer:
2SK3564(STA4,Q,M)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
2SK3564(STA4,Q,M)-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Lager:
176 Stk Nye Originaler På Lager
12890039
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
2SK3564(STA4,Q,M) Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tube
Serie
π-MOSIV
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
900 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
40W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220SIS
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Basis produktnummer
2SK3564
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
50
Andre navne
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564(Q)
2SK3564(STA4Q)
2SK3564Q-DG
2SK3564(STA4Q)-DG
2SK3564STA4QM
2SK3564(STA4,Q)
2SK3564-NDR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
TK17E80W,S1X
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
TK25E60X,S1X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
SSM3K310T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 5A TSM
