Producentens produktnummer:
2SA1930(Q,M)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
2SA1930(Q,M)-DG
Beskrivelse:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Lager:
12891716
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
D5NL
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
2SA1930(Q,M) Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Transistor Type
PNP
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
2 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
180 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
1V @ 100mA, 1A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
5µA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
100 @ 100mA, 5V
Effekt - Maks.
2 W
Frekvens - Overgang
200MHz
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Pakke med leverandørenheder
TO-220NIS
Basis produktnummer
2SA1930
Yderligere Information
Standard pakke
500
Andre navne
2SA1930(Q,M)-DG
2SA1930QM
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative modeller
DELENUMMER
TTA004B,Q
FREMSTILLER
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILGÆNGELIGT
0
DELE NUMMER
TTA004B,Q-DG
ENHEDSPRIS
0.12
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
2SC3669-Y,T2PASF(M
TRANS NPN 80V 2A MSTM
2SA684-AP
TRANS PNP 50V 1A TO92L
FZT788BTA
TRANS PNP 15V 3A SOT223-3
