STP9N65M2
Producentens produktnummer:

STP9N65M2

Product Overview

Producent:

STMicroelectronics

Delnummer:

STP9N65M2-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 650V 5A TO220
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 650 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220

Lager:

963 Stk Nye Originaler På Lager
12874582
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
0Vgu
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

STP9N65M2 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Serie
MDmesh™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
650 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
315 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
60W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220
Pakke / etui
TO-220-3
Basis produktnummer
STP9N65

Datablad og dokumenter

Datablade
ST(D,F,P,U)9N65M2

Yderligere Information

Standard pakke
50
Andre navne
497-15042-5
-497-15042-5

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
stmicroelectronics

STU11NM60ND

MOSFET N-CH 600V 10A IPAK

stmicroelectronics

STY100NM60N

MOSFET N CH 600V 98A MAX247

stmicroelectronics

STB14NM65N

MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

stmicroelectronics

STL23NM60ND

MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT