Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
DR Congo
Argentina
Tyrkiet
Rumænien
Litauen
Norge
Østrig
Angola
Slovakiet
ltaly
Finland
Belarus
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisk
Belgien
Sverige
Serbien
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Moldova
Tyskland
Holland
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrig
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Portugal
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
SCT10N120
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Delnummer:
SCT10N120-DG
Beskrivelse:
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™
Lager:
RFQ Online
12878188
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SCT10N120 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
1200 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
290 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
150W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
HiP247™
Pakke / etui
TO-247-3
Basis produktnummer
SCT10
Datablad og dokumenter
Datablade
SCT10N120
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver
Yderligere Information
Standard pakke
100
Andre navne
497-16597-5
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
MSC360SMA120B
FREMSTILLER
Microchip Technology
ANTAL TILGÆNGELIGT
138
DELE NUMMER
MSC360SMA120B-DG
ENHEDSPRIS
4.74
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DELENUMMER
G3R350MT12D
FREMSTILLER
GeneSiC Semiconductor
ANTAL TILGÆNGELIGT
5904
DELE NUMMER
G3R350MT12D-DG
ENHEDSPRIS
2.97
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
STL24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
STW15NM60N
MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
STP15NK50ZFP
MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP