RS1E350GNTB
Producentens produktnummer:

RS1E350GNTB

Product Overview

Producent:

Rohm Semiconductor

Delnummer:

RS1E350GNTB-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP

Lager:

2500 Stk Nye Originaler På Lager
13526494
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

RS1E350GNTB Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
30 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
35A (Ta), 80A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
4060 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
3W (Ta)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
8-HSOP
Pakke / etui
8-PowerTDFN
Basis produktnummer
RS1E

Datablad og dokumenter

Datablade
RS1E350GN

Yderligere Information

Standard pakke
2,500
Andre navne
RS1E350GNTBTR
RS1E350GNTBCT
RS1E350GNTBDKR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
rohm-semi

RSU002P03T106

MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3

rohm-semi

RQ5E020SPTL

MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3

rohm-semi

RCD100N20TL

MOSFET N-CH 200V 10A CPT3

rohm-semi

R8002ANX

MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM