Producentens produktnummer:
RS1E350BNTB
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Delnummer:
RS1E350BNTB-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Lager:
810 Stk Nye Originaler På Lager
13526606
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
ZY4W
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RS1E350BNTB Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
30 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
35A (Ta), 80A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
7900 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
3W (Ta), 35W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
8-HSOP
Pakke / etui
8-PowerTDFN
Basis produktnummer
RS1E
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
RS1E350BNTBTR
RS1E350BNTBCT
RS1E350BNTBDKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
RS1E350BNTB1
FREMSTILLER
Rohm Semiconductor
ANTAL TILGÆNGELIGT
2425
DELE NUMMER
RS1E350BNTB1-DG
ENHEDSPRIS
1.19
ERSTATNINGSTYPE
Parametric Equivalent
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RD3P200SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
RQ6E030SPTR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
RRQ030P03TR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
