Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
Frankrig
Spanien
Tyrkiet
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakiet
ltaly
Finland
Russisk
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Holland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Rumænien
Østrig
Belgien
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Congo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Angola
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
RQ3E130BNTB
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Delnummer:
RQ3E130BNTB-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Lager:
1954 Stk Nye Originaler På Lager
13526443
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RQ3E130BNTB Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
30 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1900 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2W (Ta)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
8-HSMT (3.2x3)
Pakke / etui
8-PowerVDFN
Basis produktnummer
RQ3E130
Datablad og dokumenter
Datablade
RQ3E130BNTB
HSMT8 TB Taping Spec
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
RQ3E130BNTBDKR
RQ3E130BNTBCT
RQ3E130BNTBTR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
TPN6R003NL,LQ
FREMSTILLER
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILGÆNGELIGT
2966
DELE NUMMER
TPN6R003NL,LQ-DG
ENHEDSPRIS
0.30
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DELENUMMER
DMT3006LFV-13
FREMSTILLER
Diodes Incorporated
ANTAL TILGÆNGELIGT
2940
DELE NUMMER
DMT3006LFV-13-DG
ENHEDSPRIS
0.21
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DELENUMMER
DMT3006LFG-7
FREMSTILLER
Diodes Incorporated
ANTAL TILGÆNGELIGT
3626
DELE NUMMER
DMT3006LFG-7-DG
ENHEDSPRIS
0.24
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
QS5U17TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
RDN100N20FU6
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
RQ6E080AJTCR
MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
RE1C002ZPTL
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F